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    大功率LED照明產(chǎn)品之散熱技術(shù)介紹

    文章出處:常見問題 責(zé)任編輯:東莞市閩光電子科技有限公司 發(fā)表時(shí)間:2020-10-29
      

    LED照明應(yīng)用趨勢及散熱問題由于固態(tài)光源(Solid State Lighting)技術(shù)不斷進(jìn)步,使近年來LED的發(fā)光效率提升,逐漸能取代傳統(tǒng)光源,目前發(fā)光效率已追過白熾燈及鹵素?zé)舳掷m(xù)向上成長。

    而一些公司更已開發(fā)出效率突破100lm/W 的LED元件,這也使得LED的照明應(yīng)用越來越廣,不但已開始應(yīng)用于室內(nèi)及戶外照明、手機(jī)背光模組及汽車方向燈等,更看好在高瓦數(shù)的投射燈及路燈等強(qiáng)光照明、大尺寸背光模組以及汽車頭燈等的應(yīng)用。由于擁有省電、環(huán)保及壽命長等優(yōu)點(diǎn),更使未來以LED光源為主流的趨勢越趨明顯。

    為了讓LED發(fā)更亮的光而需要輸入更高的功率,然而目前大功率LED的光電轉(zhuǎn)換效率值仍然有限,一般僅有約15~25% 的輸入功率成為光,其馀則會(huì)轉(zhuǎn)換成熱能。由于LED晶片面積很小,因此使高功率LED單位面積的發(fā)熱量(發(fā)熱密度)非常高,甚至較一般的 IC 元件更為嚴(yán)重,也使得LED 晶片的接面溫度大為提升,容易造成過熱問題。過高的晶片接面溫度會(huì)使LED 的發(fā)光亮度降低,其中以紅光的衰減最為明顯。也會(huì)造成LED的波長偏移而影響演色性,更會(huì)造成LED可靠度的大幅降低,因此散熱技術(shù)已成為目前LED技術(shù)發(fā)展的瓶頸。

    因此散熱設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)較大,必須從晶片層級、封裝層級、PCB 層級到系統(tǒng)模組層級,都要非常重視散熱設(shè)計(jì),并尋求最佳的散熱方桉。對于LED照明產(chǎn)品而言,由于系統(tǒng)端的散熱限制較大,因此其它層級的散熱需求就更明顯。

    對于LED熱傳問題,最基本的分析方法就是利用熱阻網(wǎng)路進(jìn)行分析。也就是將LED由晶片熱源到環(huán)境溫度的主要散熱路徑建構(gòu)熱阻網(wǎng)路,然后分析各熱阻值的特性及大小,如此可以推算理想狀況時(shí)的晶片溫度,并針對熱阻網(wǎng)路各部分下對策以降低熱阻值。需注意的是,實(shí)際分析時(shí)可依據(jù)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成更詳細(xì)的熱阻網(wǎng)路,例如考慮Die Attach 材料及Solder 等介面材料之熱阻,或是散熱模組結(jié)構(gòu)之熱阻值。

    由于LED晶片的Sapphire 基板導(dǎo)熱特性較差,會(huì)造成熱阻值過高,因此改善方式必須用高導(dǎo)熱的材料如銅取代Sapphire ,或是採用覆晶方式將基板移開熱傳路徑,以降低熱阻值。目前在晶片到封裝層級性能較佳的散熱設(shè)計(jì),包括共融合金基板及覆晶形式等設(shè)計(jì),使熱更容易從晶片傳到封裝中。而增加晶片尺寸以降低發(fā)熱密度也是可行的方向。

    大功率LED的散熱設(shè)計(jì)非常重要,關(guān)系到LED的發(fā)光的品質(zhì)及使用壽命。透過熱阻網(wǎng)路可迅速分析散熱能力及需求并尋求散熱對策,由于大功率LED發(fā)熱密度很大,必須從Chip Level、Package Level、Board Level到System Level 各層級進(jìn)行散熱設(shè)計(jì),降低熱阻,才能得到最佳的散熱效果。目前國際上各大LED晶片及封裝廠商都致力于發(fā)展發(fā)光效率更高的產(chǎn)品,透過提升光的量子效率等方式提升光電轉(zhuǎn)換效率,以降低晶片發(fā)熱量。

    為了使LED產(chǎn)品的發(fā)展及應(yīng)用更為快速,相關(guān)的散熱技術(shù)仍需同步發(fā)展。由于人類對于生活品質(zhì)的需求不斷提升,就如同IC 產(chǎn)品對于散熱的需求一直存在,散熱設(shè)計(jì)在各種大功率LED的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中仍將佔(zhàn)有重要的地位。

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